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| Artikel-Nr.:
3794E-1711412 Herst.-Nr.:
HYG15P120A1K1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 156 W
Konfiguration = Dreiphasenbrücke
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 22
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Abmessungen = 62.8 x 34 x 12mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
IGBT-Module, HY Electronic. Diese Serie von IGBT-Module von HY Electronic wird in Industriestandard-Gehäusen mit Lötstiften für die Leiterplattenmontage geliefert. Geeignete Anwendungen für diese IGBT-Module umfassen Wechselrichter für Motorantriebe, AC- und DC-Servoantriebsverstärker und unterbrechungsfreie Stromversorgungen. Merkmale der HY Electronic IGBT-Module: Trench IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Niedrige Schaltverluste 10 us Kurzschlussfestigkeit Schnelle und weiche Umkehr-Erholzeit Temperaturerfassung im Lieferumfang enthalten Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 20 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 156 W | Konfiguration: | Dreiphasenbrücke | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 22 | Transistor-Konfiguration: | 3-phasig | Abmessungen: | 62.8 x 34 x 12mm | Betriebstemperatur min.: | –40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1711412, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, HY Electronic Corp, HYG15P120A1K1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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