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Toshiba TPN14006NH N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-1712206
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TPN14006NH
EAN/GTIN:
     5059041784382
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 65 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TSON
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 30 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 3.1mm
Höhe = 0.85mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
65 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
TSON
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
41 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
30 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±20 V
Breite:
3.1mm
Höhe:
0.85mm
Weitere Suchbegriffe: 1712206, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TPN14006NH, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
Die Konditionen im Überblick1
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