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| Artikel-Nr.:
3794E-1712210 Herst.-Nr.:
TPN3R704PL EAN/GTIN:
5059041784931 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 92 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TSON
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.4V
Verlustleistung max. = 86 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 3.1mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
Hocheffiziente DC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerMotortreiberHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 8,1 nC (typ.)Geringe Ausgangsladung: Qoss = 20,2 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)Anreicherungstyp: Vth = 1,4 bis 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 92 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | TSON | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.4V | Verlustleistung max.: | 86 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 3.1mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1712210, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TPN3R704PL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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