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| Artikel-Nr.:
3794E-1712379 Herst.-Nr.:
TPH6R003NL EAN/GTIN:
5059041784924 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 57 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 8,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 34 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 57 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,3 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 34 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1712379, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TPH6R003NL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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