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| Artikel-Nr.:
3794E-1712385 Herst.-Nr.:
TPN14006NH EAN/GTIN:
5059041781138 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 65 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TSON
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 30 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.85mm
SchaltspannungsreglerMotortreiberDC/DC-WandlerHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 5,5 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 11 Ω (typ.)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 60 V)Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 65 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TSON | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 41 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 30 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.85mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1712385, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TPN14006NH, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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