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| Artikel-Nr.:
3794E-1712412 Herst.-Nr.:
TJ15P04M3 EAN/GTIN:
5059041781459 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 15 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 48 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 29 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 7.18mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = –10 μA (max.) (VDS = –40 V)Verbesserungsmodus: Vth = –0,8 bis –2,0 V (VDS = –10 V, ID = -0,1 mA)Anwendungen:MotortreiberStromversorgungsschalter Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 15 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 48 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 29 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 7.18mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1712412, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TJ15P04M3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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