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| Artikel-Nr.: 3794E-1712421 Herst.-Nr.: TK31V60W5 EAN/GTIN: 5059041786591 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30,8 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = DFN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 109 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Verlustleistung max. = 240 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±30 V Breite = 8mm Diodendurchschlagsspannung = 1.7V Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 109 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 240 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 8mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.7V |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 1712421, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK31V60W5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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