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| Artikel-Nr.: 3794E-1718332 Herst.-Nr.: NVMFS5C673NLWFAFT1G EAN/GTIN: 5059042145175 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = DFN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 13 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Verlustleistung max. = 46 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Betriebstemperatur max. = +175 °C Diodendurchschlagsspannung = 1.2V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 13 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 46 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, 1718332, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMFS5C673NLWFAFT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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