|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1718333 Herst.-Nr.:
NVTFS5C453NLWFTAG EAN/GTIN:
5059042161854 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 107 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = WDFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 5,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 68 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 3.15mm
Höhe = 0.75mm
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustandminimiert LeitungsverlusteNiedrige Gateladungminimiert Schaltverlusteu8FL-Gehäusesehr kleine Abmessungen ermöglicht kleinere Leiterplatten und Modulegeeignet für AutomobilanwendungenBleifreiKleine Abmessungen (3 x 3 mm)Kompaktes DesignBatterieverpolungsschutzStromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)SchaltnetzteileSpulentreiber – ABS, KraftstoffeinspritzungMotorsteuerung – EPS, Tücher, Lüfter, Sitze usw.Lastschalter – ECU, Chassis, Gehäuse Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 107 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | WDFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 68 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 3.15mm | Höhe: | 0.75mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1718333, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVTFS5C453NLWFTAG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |