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| Artikel-Nr.:
3794E-1720387 Herst.-Nr.:
RD3H160SPTL1 EAN/GTIN:
5059043560007 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 16 A
Drain-Source-Spannung max. = 45 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 70 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 20 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = RD3H160SP Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 16 A | Drain-Source-Spannung max.: | 45 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 70 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 20 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | RD3H160SP |
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| Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, 1720387, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RD3H160SPTL1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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