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| Artikel-Nr.:
3794E-1720456 Herst.-Nr.:
RD3P130SPTL1 EAN/GTIN:
5059043548135 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = RD3P130SP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 230 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 20 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Der RD3P130SP ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand, für Schaltanwendungen geeignet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Schnelle Schaltgeschwindigkeit Einfache Antriebskreise möglich Parallele Nutzung ist einfach Pb-frei Beschichtung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | RD3P130SP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 230 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 20 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1720456, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RD3P130SPTL1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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