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| Artikel-Nr.:
3794E-1723345 Herst.-Nr.:
NVMFD5C650NLWFT1G EAN/GTIN:
5059042308860 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 111 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 5,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 125 W
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 37 nC @ 10 V
Höhe = 1.05mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 111 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 125 W | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 37 nC @ 10 V | Höhe: | 1.05mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1723345, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMFD5C650NLWFT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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