onsemi NVD5C464N NVD5C464NT4G N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 59 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 59 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 40 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Länge = 6.73mm
Höhe = 2.25mm

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.700 V bei TJ = 150 °C Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 259 nC) Geringere Schaltverluste Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 1972 pF) Geringere Schaltverluste Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse) Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung Optimierte Kapazität Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation Typ. RDS(on) = 23 mΩ