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onsemi FCP067N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-220


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-1723424
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FCP067N65S3
EAN/GTIN:
     5059042146387
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 67 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 312 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 4.7mm
Höhe = 16.3mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
44 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
67 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
2.5V
Verlustleistung max.:
312 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±30 V
Breite:
4.7mm
Höhe:
16.3mm
Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 1723424, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FCP067N65S3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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