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| Artikel-Nr.:
3794E-1724616 Herst.-Nr.:
FCH023N65S3L4 EAN/GTIN:
5059042531749 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 595 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Länge = 15.8mm
Höhe = 22.74mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 75 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 23 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 595 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Länge: | 15.8mm | Höhe: | 22.74mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 75a, 1724616, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FCH023N65S3L4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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