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| Artikel-Nr.:
3794E-1730711 Herst.-Nr.:
IRFR210TRPBF EAN/GTIN:
5059040721227 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.22mm
Höhe = 2.38mm
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 25 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 6.22mm | Höhe: | 2.38mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1730711, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFR210TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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