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| Artikel-Nr.:
3794E-1775342 Herst.-Nr.:
IXFN210N30P3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 192 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 14,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,5 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 192 A | Drain-Source-Spannung max.: | 300 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 14,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 1,5 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1775342, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN210N30P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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