Microchip TN0110 TN0110N3-G N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 350 mA 1 W, 3-Pin TO-92

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 350 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 5.33mm

Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.Niedriger Schwellenwert – max. 2,0 V Hohe Eingangsimpedanz Niedrige Eingangskapazität – 50 pF typisch Schnelle Schaltgeschwindigkeiten Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Frei von sekundärer Durchschlagsspannung Niedriger Eingangs- und Leckstrom