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| Artikel-Nr.: 3794E-1779692 Herst.-Nr.: TN2106N3-G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 300 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V Verlustleistung max. = 740 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = 20 V Breite = 4.06mm Serie = TN2106 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 300 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 740 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Breite: | 4.06mm | Serie: | TN2106 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet to-92, mosfet, 1779692, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Microchip, TN2106N3G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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