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| Artikel-Nr.:
3794E-1779737 Herst.-Nr.:
VP2450N8-G EAN/GTIN:
5059045481010 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 160 mA
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = SOT-89
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 35 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 1,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 2.6mm
Höhe = 1.6mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 160 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | SOT-89 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 35 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 1,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Breite: | 2.6mm | Höhe: | 1.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1779737, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Microchip, VP2450N8G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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