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| Artikel-Nr.:
3794E-1779760 Herst.-Nr.:
2N7000-G EAN/GTIN:
5059045471998 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5,3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 0.85V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,3 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 0.85V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1779760, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Microchip, 2N7000G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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