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Vishay IRF740PBF N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-220AB


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1780812
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRF740PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 400 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 550 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.7mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C

N-Kanal MOSFET, 300 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
10 A
Drain-Source-Spannung max.:
400 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
550 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
125 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
4.7mm
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, mosfet 10a, 1780812, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRF740PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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