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| Artikel-Nr.:
3794E-1780827 Herst.-Nr.:
IRF9630PBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 6,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 800 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 74 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 29 nC @ 10 V
Höhe = 9.01mm
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 6,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 800 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 74 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 29 nC @ 10 V | Höhe: | 9.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet, mosfet to-220ab, 1780827, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRF9630PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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