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| Artikel-Nr.: 3794E-1783723 Herst.-Nr.: SQM40016EM_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 250 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 1 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V Verlustleistung max. = 300 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Breite = 4.83mm Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 250 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 4.83mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, 1783723, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SQM40016EM_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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