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| Artikel-Nr.:
3794E-1783853 Herst.-Nr.:
Si2319DDS-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059045289586 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,7 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1.02mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,7 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1.02mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1783853, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, Si2319DDST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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