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| Artikel-Nr.:
3794E-1783886 Herst.-Nr.:
SQA401EEJ-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059045289463 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2,68 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SC-70-6L
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 13,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±8 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 1mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,68 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SC-70-6L | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 200 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 13,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±8 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1783886, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SQA401EEJT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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