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| Artikel-Nr.:
3794E-1783893 Herst.-Nr.:
SQJ504EP-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059045292210 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerPak SO-8L Dual
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 30 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 34 W, 34 W
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 1.07mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | PowerPak SO-8L Dual | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 30 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 34 W, 34 W | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 1.07mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 1783893, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SQJ504EPT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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