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| Artikel-Nr.:
3794E-1783934 Herst.-Nr.:
SiDR392DP-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059045290117 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 900 μΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +20 V, +6 V
Breite = 5mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.1V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 900 μΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | +20 V, +6 V | Breite: | 5mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.1V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1783934, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SiDR392DPT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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