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| Artikel-Nr.:
3794E-1784239 Herst.-Nr.:
FCH125N65S3R0-F155 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 181 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 46 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = –55 °C
SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Damit trägt die SUPERFET III MOSFET-Easy-Drive-Serie zur Beherrschung von elektromagnetischen Störungen (EMI) bei und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung.700 V bei TJ = 150 °C Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 439 pF) Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 46 nC) Optimierte Kapazität Typ. RDS(on) = 105 mΩ Interner Gate-Widerstand: 0,5 Ω Vorteile: Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur Geringe Schaltverluste Geringe Schaltverluste Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation Anwendungen: Computer Unterhaltungselektronik Industrieausführung Endprodukte: Notebook/Desktop-Computer/Spielkonsole Telekommunikation/Server USV/Solar LED-Beleuchtung / Starter Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 24 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 125 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 181 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 46 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1784239, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FCH125N65S3R0F155, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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