onsemi FCP125N65S3R0 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 24 A 181 W, 3-Pin TO-220

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 181 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Damit trägt die SUPERFET III MOSFET-Easy-Drive-Serie zur Beherrschung von elektromagnetischen Störungen (EMI) bei und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung.700 V @ T_J = 150 °C Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 439 pF) Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 46 nC) Optimierte Kapazität Typ. RDS(on) = 105 mΩ Interner Gate-Widerstand: 0,5 Ω Vorteile: Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur Geringe Schaltverluste Geringe Schaltverluste Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation Anwendungen: Computer Unterhaltungselektronik Industrieausführung Endprodukte: Notebook/Desktop-Computer/Spielkonsole Telekommunikation/Server LCD/LED-TV LED-Beleuchtung / Starter Adapter