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| Artikel-Nr.:
3794E-1784423 Herst.-Nr.:
NTB082N65S3F EAN/GTIN:
5059045291121 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 40 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 82 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 313 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 82 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 313 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 40a mosfet, 1784423, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTB082N65S3F, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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