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| Artikel-Nr.:
3794E-1784594 Herst.-Nr.:
FGH40T120SQDNL4 EAN/GTIN:
5059045300373 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = P
Pinanzahl = 4
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5.2 x 22.74mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Dieser Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Ultra-Feldsperren-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.Extrem effizienter Trench mit Feldsperren-Technologie • TJmax = 175 °C • Diode mit weicher und schneller Umkehr-Erholungsladung • optimiert für hohe Schaltgeschwindigkeiten • Diese Geräte sind Pb-frei Anwendungen Solar-Wechselrichter, USV, Schweißen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 160 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±30V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | P | Pinanzahl: | 4 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 1784594, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGH40T120SQDNL4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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