|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1784606 Herst.-Nr.:
NVMFS5C426NLT1G EAN/GTIN:
5059045299431 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 237 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 128 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 6.1mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.Merkmale Kleine Abmessungen: 5 x 6 mm Niedriger RDS (EIN) Niedrige Qg und Kapazität Option mit benetzbaren Flanken PPAP-fähig Vorteile Kompaktes Design Minimiert Leitungsverluste Minimiert Treiberverluste Verbesserte optische Prüfung Anwendungen Verpolungsschutz Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.) Schaltnetzteile Endprodukte Spulentreiber – ABS, Kraftstoffeinspritzung Motorsteuerung – EPS, Scheibenwischer, Lüfter, Sitze usw. Lastschalter – ECU, Chassis, Gehäuse Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 237 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 128 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 6.1mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1784606, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMFS5C426NLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |