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| Artikel-Nr.:
3794E-1784627 Herst.-Nr.:
FGH60T65SQD-F155 EAN/GTIN:
5059045301080 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Verlustleistung max. = 333 W
Gehäusegröße = TO-247 G03
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = P
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.87 x 4.82 x 20.82mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 60 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±30V | Verlustleistung max.: | 333 W | Gehäusegröße: | TO-247 G03 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | P | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 1784627, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGH60T65SQDF155, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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