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| Artikel-Nr.:
3794E-1784640 Herst.-Nr.:
NVD5C454NT4G EAN/GTIN:
5059045292616 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 83 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 56 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 2.25mm
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und hoher Wärmeleistung. Für Automobilanwendungen geeignet.Merkmale Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Hohe Strombelastbarkeit PPAP-fähig Vorteile Minimale Leitungsverluste. Robustes Lastverhalten Spannungsüberlastungsschutz Anwendungen Treiber für Niederspannungsseite Treiber für Hochspannungsseite Motorantrieb Endprodukte Automobil-Antriebsstrang Automobil-HLK-Motoren ABS-Druckpumpen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 83 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 56 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 2.25mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1784640, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVD5C454NT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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