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| Artikel-Nr.:
3794E-1787472 Herst.-Nr.:
BSS138NH6327XTSA2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 230 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 360 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 1 nC @ 10 V
Höhe = 1mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 230 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 360 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 1 nC @ 10 V | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, chip kondensator, mosfet sot-23, 1787472, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSS138NH6327XTSA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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