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Vishay TrenchFET SI4825DDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,9 A, 8-Pin SO-8

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
3794E-1807295

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI4825DDY-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
vishay diode

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 14,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0205 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TrenchFET

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	P
Dauer-Drainstrom max.:	14,9 A
Drain-Source-Spannung max.:	30 V
Gehäusegröße:	SO-8
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	8
Drain-Source-Widerstand max.:	0,0205 O
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:	1
Serie:	TrenchFET

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: diode, 1807295, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4825DDYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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