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| Artikel-Nr.:
3794E-1807343 Herst.-Nr.:
VS-HFA04SD60S-M3 EAN/GTIN:
5059045780656 |
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| Durchlassstrom max. = 4A
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Sperrspannung max. = 600V
Gehäusegröße = TO-252AA
Pinanzahl = 3 + Tab
Diodenkapazität max. = 8pF
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Länge = 6.73mm
Breite = 6.22mm
Höhe = 2.26mm
Abmessungen = 6.73 x 6.22 x 2.26mm
Verlustleistung = 10mW
Diese Dioden sind optimiert, um Verluste und elektromagnetische Störungen in Hochfrequenzsystemen für die Leistungsverarbeitung zu verringern. Die Weichheit der Wiederherstellung macht in den meisten Anwendungen eine Stoßbremse überflüssig. Diese Geräte eignen sich ideal für Freilauf-, Flyback-, Stromrichter-, Motorantriebe und andere Anwendungen, bei denen hohe Drehzahlen und reduzierte Schaltverluste gefordert sind.Ultraschnelle Erholungszeit Ultraweiche Erholung Sehr niedriger IRRM ANWENDUNGEN: Diese Dioden sind optimiert, um Verluste und elektromagnetische Störungen in Hochfrequenzsystemen für die Leistungsverarbeitung zu verringern. Die Weichheit der Wiederherstellung macht in den meisten Anwendungen eine Stoßbremse überflüssig. Diese Geräte eignen sich ideal für Freilauf-, Flyback-, Stromrichter-, Motorantriebe und andere Anwendungen, bei denen hohe Drehzahlen und reduzierte Schaltverluste gefordert sind. Weitere Informationen: | | Durchlassstrom max.: | 4A | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Sperrspannung max.: | 600V | Gehäusegröße: | TO-252AA | Pinanzahl: | 3 + Tab | Diodenkapazität max.: | 8pF | Betriebstemperatur min.: | –55 °C | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Länge: | 6.73mm | Breite: | 6.22mm | Höhe: | 2.26mm | Abmessungen: | 6.73 x 6.22 x 2.26mm | Verlustleistung: | 10mW |
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| Weitere Suchbegriffe: 1807343, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, Vishay, VSHFA04SD60SM3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
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