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Vishay TrenchFET SQ2309ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,7 A, 3-Pin TO-236


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     3794E-1807397
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQ2309ES-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-236
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,5 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TrenchFET
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
1,7 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
TO-236
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,5 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
TrenchFET
Weitere Suchbegriffe: 1807397, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ2309EST1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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