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Infineon S25FL Flash-Speicher 128MBit, 8M x 16 Bit, Quad-SPI, 8ns, WSON, 8-Pin, 2,7 V bis 3,6 V


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-1811593
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     S25FL128LAGNFI010
EAN/GTIN:
     5059045716167
Suchbegriffe:
EEPROM
EEPROM-Speicher
FLASH-Speicher
eeprom
Speicher Größe = 128MBit
Interface-Typ = Quad-SPI
Gehäusegröße = WSON
Pinanzahl = 8
Organisation = 8M x 16 Bit
Montage-Typ = SMD
Zellen-Typ = NOR
Arbeitsspannnung min. = 2,7 V
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Block-Organisation = Symmetrisch
Länge = 5.28mm
Höhe = 1.9mm
Breite = 5.28mm
Abmessungen = 5.28 x 5.28 x 1.9mm
Serie = S25FL

2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch Organisiert als 256 K x 8 10 Trillionen (1014) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer 121 Jahre Datenspeicherung NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI) Bis zu 33 MHz Frequenz Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1) Ausgeklügeltes Schreibschutzschema Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP) Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array Geräte-ID Hersteller-ID und Produkt-ID Geringer Stromverbrauch 3 mA Wirkstrom bei 33 MHz Standby-Strom: 400° 1 A 12° A Ruhestrom Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V Erweiterte Temperatur: -40 °C bis +105 °C. 8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
Weitere Informationen:
Speicher Größe:
128MBit
Interface-Typ:
Quad-SPI
Gehäusegröße:
WSON
Pinanzahl:
8
Organisation:
8M x 16 Bit
Montage-Typ:
SMD
Zellen-Typ:
NOR
Arbeitsspannnung min.:
2,7 V
Arbeitsspannnung max.:
3,6 V
Block-Organisation:
Symmetrisch
Länge:
5.28mm
Höhe:
1.9mm
Breite:
5.28mm
Abmessungen:
5.28 x 5.28 x 1.9mm
Serie:
S25FL
Weitere Suchbegriffe: 1811593, Halbleiter, Speicherbausteine, Flash-Speicher, Infineon, S25FL128LAGNFI010, Semiconductors, Memory Chips, Flash Memory
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