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| Artikel-Nr.:
3794E-1811889 Herst.-Nr.:
FGH75T65SHDTL4 EAN/GTIN:
5059045714699 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = P
Pinanzahl = 4
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5.2 x 22.74mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Dank der neuartigen Feldsperren-IGBT-Technologie bietet die neue Serie der Feldsperren-IGBTs der 3. Generation von Fairchild optimale Leistung für Solar-Wechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste unentbehrlich sind.Maximale Sperrschichttemperatur: 175°C Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb Hohe Strombelastbarkeit Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) bei IC = 75 A 100 % der Teile getestet für ILM(1) Hohe Eingangsimpedanz Schnelle Schaltgeschwindigkeit Enge Parameterverteilung Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 150 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | P | Pinanzahl: | 4 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 1811889, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGH75T65SHDTL4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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