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| Artikel-Nr.:
3794E-1811899 Herst.-Nr.:
FDP2D3N10C EAN/GTIN:
5059045711216 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 222 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 214 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 4.67mm
Höhe = 15.21mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 222 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,3 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 214 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 4.67mm | Höhe: | 15.21mm |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 1811899, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDP2D3N10C, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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