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| Artikel-Nr.: 3794E-1811911 Herst.-Nr.: FDPF2D3N10C EAN/GTIN: 5059045719519 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 222 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220F Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 2,3 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 45 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 108 nC @ 10 V Höhe = 16.07mm
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.Max RDS(on) = 2,3 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 222 A Leistungsdichte und geschirmtes Gate Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on) Hohe Leistungsdichte durch geschirmte Gate-Technologie Extrem geringe Rückwärts-Rückgewinnungsladung, Qrr Integriertes Spannungsschutzelement mit niedrigem Vds-Spike Niedrige Gate-Ladung, QG = 108 nC (typ.) Geringe Schaltverluste Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit Niedrige Qrr/Trr Soft-Recovery-Leistung Synchrongleichrichtung für ATX / Server / Workstation / Telekommunikationsnetzteil / Adapter und Industrienetzgeräte. Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen Micro Solar-Wechselrichter Server Telekom Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrienetzgeräte usw.) Motorantrieb Unterbrechungsfreie Stromversorgung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 222 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220F | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,3 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 45 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 108 nC @ 10 V | Höhe: | 16.07mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1811911, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDPF2D3N10C, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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