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| Artikel-Nr.:
3794E-1811929 Herst.-Nr.:
FGH75T65SQDNL4 EAN/GTIN:
5059045718864 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = P
Pinanzahl = 4
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5.2 x 22.74mm
Nennleistung = 160mJ
Dieser bipolare Transistor mit isoliertem Gate (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Feld-Stop IV-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. Darüber hinaus ist dieses neue Gerät in einem TO-247-4L-Gehäuse verpackt, das im Vergleich zum Standard-TO-247-3L-Gehäuse eine deutliche Reduzierung der Einschaltverluste bietet. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.Extrem effizienter Graben mit Feld-Stop-Technologie TJmax = 175 °C Verbesserte Gate-Steuerung verringert Schaltverluste Separater Emitter-Antriebsstift TO-247-4L für minimale Einschaltverluste Optimiert für Hochgeschwindigkeitsschaltung Hierbei handelt es sich um bleifreie Geräte Solarwechselrichter Unterbrechungsfreie Inverter-Stromversorgung Neutralpunkt-Klemmentopologie Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 200 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | P | Pinanzahl: | 4 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | Nennleistung: | 160mJ |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 1811929, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGH75T65SQDNL4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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