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Infineon FRAM-Speicher 4kbit, 512 M x 8 Bit 20ns Seriell-SPI SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,6 V


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1818248
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FM25L04B-GTR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
EEPROM
EEPROM-Speicher
FRAM
FRAM Speicher
Speicher Größe = 4kbit
Organisation = 512 M x 8 Bit
Interface-Typ = Seriell-SPI
Datenbus-Breite = 8bit
Zugriffszeit max. = 20ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 8
Abmessungen = 4.97 x 3.98 x 1.47mm
Länge = 4.97mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Höhe = 1.47mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Anzahl der Wörter = 512M

4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8 Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014) 151 Jahre Datenspeicherung NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI) Bis zu 20 MHz Frequenz Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1) Ausgeklügeltes Schreibschutzschema Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP) Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array Geringer Stromverbrauch 200° A Wirkstrom bei 1 MHz Standby-Strom von 3° A (typ.) Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C. Gehäuse 8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit) 8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
Weitere Informationen:
Speicher Größe:
4kbit
Organisation:
512 M x 8 Bit
Interface-Typ:
Seriell-SPI
Datenbus-Breite:
8bit
Zugriffszeit max.:
20ns
Montage-Typ:
SMD
Gehäusegröße:
SOIC
Pinanzahl:
8
Abmessungen:
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Länge:
4.97mm
Arbeitsspannnung max.:
3,6 V
Höhe:
1.47mm
Betriebstemperatur max.:
+85 °C
Anzahl der Wörter:
512M
Weitere Suchbegriffe: soic eeprom, eeprom, 1818248, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, FM25L04BGTR, Semiconductors, Memory Chips, FRAM Memory
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