Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 104MHz, 8bit / Wort, 2,4 V bis 2,6 V, SOIC 16-Pin

Speicher Größe = 1MBit
Organisation = 128.000 x 8 Bit
Anzahl der Wörter = 128k
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
Zugriffszeit max. = 15ns
Taktfrequenz = 104MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Synchron
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 16
Abmessungen = 10.49 x 7.59 x 2.36mm
Höhe = 2.36mm
Arbeitsspannnung min. = 2,4 V

Der Cypress CY14X101PA kombiniert einen 1-Mbit-nv-SRAM[1] mit einer voll ausgestatteten RTC in einer monolithischen integrierten Schaltung mit serieller SPI-Schnittstelle. Der Speicher ist in 128 K Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum-Trap-Technologie und schaffen so den weltweit zuverlässigsten nichtflüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die Quantum-Trap-Zellen eine äußerst zuverlässige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Betrieb) im SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Befehle initiieren.