Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin

Speicher Größe = 4MBit
Organisation = 256 k x 16 Bit
Anzahl der Wörter = 256k
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 16bit
Taktfrequenz = 1MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP
Pinanzahl = 44
Abmessungen = 18.51 x 10.26 x 1.05mm
Höhe = 1.05mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C

Hohe Geschwindigkeit tAA = 10 ns Temperaturbereich KFZ-E: -40 °C bis 125 °C. KFZ-A: -40 °C bis 85 °C. Integrierter ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur [1, 2] Niedriger Wirk- und Standby-Strom Wirkstrom ICC = 40 mA typisch Standby-Strom ISB2 = 6 mA typisch Betriebsspannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V 1,0 V Datenspeicherung TTL-kompatible Ein- und Ausgänge Bleifreie 48-Ball-VFBGA- und 44-polige TSOP II-Gehäuse