Speicher Größe = 4MBit
Organisation = 512 KB x 16 bit
Anzahl der Wörter = 512k
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Taktfrequenz = 100MHz
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOJ
Pinanzahl = 36
Abmessungen = 0.93 x 0.4 x 0.12mm
Arbeitsspannnung max. = 5,5 V
Breite = 0.4mm
Das Modell CY7C1049GN ist ein Hochleistungs-CMOS-SRAM-Gerät, organisiert als 512000 Wörter mit jeweils 8 Bit. Schreibvorgänge erfolgen über die Festlegung der Eingaben "Chip Enable" (CE) und "Write Enable" (WE) als NIEDRIG, und stellt die Daten gleichzeitig über E/A-0 bis E/A-7 sowie die Adresse über die Pole A-0 bis A-18 zur Verfügung. Lesevorgänge erfolgen über die Festlegung der Eingaben "Chip Enable" (CE) und "Write Enable" (WE) als NIEDRIG, unter Angabe der erforderlichen Adresse und der Adresszeilen. Daten werden über die E/A-Leitungen ausgelesen (E/A-0 bis E/A-7). Alle E/A (E/A-0 bis E/A-7) befinden sich während der folgenden Ereignisse in einem hochohmigen Zustand: Wenn die Auswahl für das Gerät aufgehoben wird (CE HOCH), oder wenn die Festlegung für das Kontrollsignal OE aufgehoben wird.Hohe Geschwindigkeit tAA = 10 ns Niedriger Wirk- und Standby-Strom Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch) Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch) Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V 1,0 V Datenspeicherung TTL-kompatible Ein- und Ausgänge Bleifreie, 36-polige SOJ-Gehäuse sowie 44-polige TSOP-II-Gehäuse Weitere Informationen:  | | Speicher Größe: | 4MBit | Organisation: | 512 KB x 16 bit | Anzahl der Wörter: | 512k | Anzahl der Bits pro Wort: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 10ns | Taktfrequenz: | 100MHz | Timing Typ: | Asymmetrisch | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOJ | Pinanzahl: | 36 | Abmessungen: | 0.93 x 0.4 x 0.12mm | Arbeitsspannnung max.: | 5,5 V | Breite: | 0.4mm |
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