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| Artikel-Nr.:
3794E-1826901 Herst.-Nr.:
DMN62D1LFB-7B EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 407 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = X1-DFN1006
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 0.67mm
Höhe = 0.48mm
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom ESD-geschützt Vollständig bleifrei halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät Anwendung Lastschalter Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 407 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | X1-DFN1006 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 0.67mm | Höhe: | 0.48mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1826901, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN62D1LFB7B, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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