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| Artikel-Nr.:
3794E-1827152 Herst.-Nr.:
DMNH6011LK3-13 EAN/GTIN:
5059045316169 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 3,2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±12 V
Breite = 6.2mm
Höhe = 2.26mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 18 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 3,2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±12 V | Breite: | 6.2mm | Höhe: | 2.26mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1827152, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMNH6011LK313, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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